德国 Infineon 英飞凌 半导体晶体管 AIMDQ75R016M1H 应用于自动化配料系统

型号示例：

型号：AIMDQ75R016M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：98；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：AIMDQ75R140M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：17；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：AIMDQ75R040M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：47；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：IMZA75R090M1H；Infineon封装名称：PG-TO247-4；标准封装名称：TO247 4-pin (asymmetric leads)；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：23；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：IMZA75R140M1H；Infineon封装名称：PG-TO247-4；标准封装名称：TO247 4-pin (asymmetric leads)；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：16；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：AIMDQ75R008M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：173；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：IPN80R4K5P7；Infineon封装名称：PG-SOT223-3；标准封装名称：SOT-223-3；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：4500；最大ID@25°C[A]：1.5；QG典型值@10V[nC]：4；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPN80R1K4P7；Infineon封装名称：PG-SOT223-3；标准封装名称：SOT-223-3；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：1400；最大ID@25°C[A]：4；QG典型值@10V[nC]：10；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R280P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：280；最大ID@25°C[A]：17；QG典型值@10V[nC]：36；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPN80R2K4P7；Infineon封装名称：PG-SOT223-3；标准封装名称：SOT-223-3；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：2400；最大ID@25°C[A]：2.5；QG典型值@10V[nC]：7.5；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R900P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：900；最大ID@25°C[A]：6；QG典型值@10V[nC]：15；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R360P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：360；最大ID@25°C[A]：13；QG典型值@10V[nC]：30；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPU80R900P7；Infineon封装名称：PG-TO251-3；标准封装名称：IPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：900；最大ID@25°C[A]：6；QG典型值@10V[nC]：15；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R360P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：360；最大ID@25°C[A]：13；QG典型值@10V[nC]：30；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R900P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：900；最大ID@25°C[A]：6；QG典型值@10V[nC]：15；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPU80R600P7；Infineon封装名称：PG-TO251-3；标准封装名称：IPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：600；最大ID@25°C[A]：8；QG典型值@10V[nC]：20；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R450P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：450；最大ID@25°C[A]：11；QG典型值@10V[nC]：24；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R1K4P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：1400；最大ID@25°C[A]：4；QG典型值@10V[nC]：10；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R280P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：280；最大ID@25°C[A]：17；QG典型值@10V[nC]：36；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R1K4P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：1400；最大ID@25°C[A]：4；QG典型值@10V[nC]：10；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

德国 Infineon 英飞凌 半导体晶体管 AIMDQ75R016M1H 应用于自动化配料系统

公司介绍：

Infineon Technologies是半导体解决方案供应商，以其在汽车，工业，通信和消费电子领域的创新技术而闻名。其产品范围包括微控制器，电源管理集成电路和传感器，晶体管等方面。

应用分析：

在配料系统中，晶体管确保各种原料的精准配比和混合，提高产品质量。

德国 Infineon 英飞凌 半导体晶体管 AIMDQ75R016M1H 应用于自动化配料系统

公司介绍：

Infineon Technologies是半导体解决方案供应商，以其在汽车，工业，通信和消费电子领域的创新技术而闻名。其产品范围包括微控制器，电源管理集成电路和传感器，晶体管等方面。

应用分析：

在配料系统中，晶体管确保各种原料的精准配比和混合，提高产品质量。

型号示例：

型号：AIMDQ75R016M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：98；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：AIMDQ75R140M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：17；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：AIMDQ75R040M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：47；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：IMZA75R090M1H；Infineon封装名称：PG-TO247-4；标准封装名称：TO247 4-pin (asymmetric leads)；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：23；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：IMZA75R140M1H；Infineon封装名称：PG-TO247-4；标准封装名称：TO247 4-pin (asymmetric leads)；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：16；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：AIMDQ75R008M1H；Infineon封装名称：PG-HDSOP-22；标准封装名称：Q-DPAK；最大电压[V]：750；最大ID@25°C[A]：173；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：175

型号：IPN80R4K5P7；Infineon封装名称：PG-SOT223-3；标准封装名称：SOT-223-3；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：4500；最大ID@25°C[A]：1.5；QG典型值@10V[nC]：4；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPN80R1K4P7；Infineon封装名称：PG-SOT223-3；标准封装名称：SOT-223-3；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：1400；最大ID@25°C[A]：4；QG典型值@10V[nC]：10；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R280P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：280；最大ID@25°C[A]：17；QG典型值@10V[nC]：36；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPN80R2K4P7；Infineon封装名称：PG-SOT223-3；标准封装名称：SOT-223-3；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：2400；最大ID@25°C[A]：2.5；QG典型值@10V[nC]：7.5；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R900P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：900；最大ID@25°C[A]：6；QG典型值@10V[nC]：15；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R360P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：360；最大ID@25°C[A]：13；QG典型值@10V[nC]：30；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPU80R900P7；Infineon封装名称：PG-TO251-3；标准封装名称：IPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：900；最大ID@25°C[A]：6；QG典型值@10V[nC]：15；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R360P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：360；最大ID@25°C[A]：13；QG典型值@10V[nC]：30；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R900P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：900；最大ID@25°C[A]：6；QG典型值@10V[nC]：15；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPU80R600P7；Infineon封装名称：PG-TO251-3；标准封装名称：IPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：600；最大ID@25°C[A]：8；QG典型值@10V[nC]：20；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R450P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：450；最大ID@25°C[A]：11；QG典型值@10V[nC]：24；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R1K4P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：1400；最大ID@25°C[A]：4；QG典型值@10V[nC]：10；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPA80R280P7；Infineon封装名称：PG-TO220-3；标准封装名称：TO220 FullPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：280；最大ID@25°C[A]：17；QG典型值@10V[nC]：36；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150

型号：IPD80R1K4P7；Infineon封装名称：PG-TO252-3；标准封装名称：DPAK；最大电压[V]：800；RDS（on）@10V最大[mΩ]：1400；最大ID@25°C[A]：4；QG典型值@10V[nC]：10；最低工作温度[°C]：-55；最高工作温度[°C]：150